技术资料
TC4953是一款20V P沟道增强型MOS场效应管，具有以下特点：
基本参数
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：3A
导通电阻(RDS(on))：典型值62mΩ@Vgs=-4.5V，88mΩ@Vgs=-2.5V
封装与工艺
采用SOP-8封装
先进的沟道工艺技术和高密度超低电阻设计
应用领域
主要用于LED显示屏驱动、负载开关或PWM开关
也可用于笔记本电源管理、电池保护系统等
服务热线
0755-83001292
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